SK 海力士正开发新技术以降低 NAND 制造成本
2 月 11 日
SK 海力士正在开发名为「AIP(All-In-Plug)」的创新技术,以缓解堆叠层数增加带来的成本增长,该技术旨在通过一次性蚀刻全部 NAND 层,显著降低制造成本。
SK 海力士正开发新技术以降低 NAND 制造成本
财联社 / 钛媒体 / 格隆汇 / 36Kr
2026-03-03
SK 海力士正探索 HBM4 新封装技术,剑指英伟达顶级性能目标2026-02-11
SK 海力士正开发新技术以降低 NAND 制造成本2025-09-12
全球首款:SK 海力士宣布完成 HBM4 开发并准备量产2025-09-11
SK 海力士开始供应新的高性能 NAND 闪存,以满足 AI 设备需求2025-08-25
全球首发:SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存2025-04-14
消息称 SK 海力士拆分 HBM 封装产品开发团队,标准、定制并行2025-02-11
三星、SK 海力士减少 NAND 产量以应对供应过剩问题2024-11-21
SK 海力士开始量产 321 层 NAND 闪存2024-08-14
SK 海力士计划开发 4F2 结构 DRAM 以缩减成本查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。