ReadhubSK 海力士成功开发基于 321 层 NAND 闪存的 UFS 4.1 解决方案产品
2025 年 5 月 22 日
SK 海力士开发出 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的 UFS 4.1 移动端解决方案，较上代产品能效提升 7%，厚度减至 0.85mm。其数据传输速率高达 4300MB/s，随机读写速度分别提升 15% 和 40%。产品提供 512GB 与 1TB 两种容量，计划年内送样并将于明年第一季度量产，助力端侧 AI 在移动设备上的应用。
展开全部报道
话题追踪2026-02-11
SK 海力士正开发新技术以降低 NAND 制造成本2026-02-02
三星、SK 海力士计划扩大尖端 NAND 产能2026-01-20
韩媒称「三星、SK 海力士预计今年继续减产 NAND 闪存」，以追求利润最大化2026-01-06
SK 海力士预告 CES 2026 期间首次展示 16 层 48GB HBM42025-12-11
SK 海力士正在与英伟达合作 加速其下一代 AI NAND 闪存的研发2025-11-12
三星电子、SK 海力士和铠侠计划提高 NAND 价格 并削减产量2025-09-11
SK 海力士开始供应新的高性能 NAND 闪存，以满足 AI 设备需求2025-09-06
SK 海力士完成对 Intel 大连闪存工厂收购，美国取消政策致技术升级受限2025-09-02
三星和 SK 海力士将延长 DDR4 生产至明年查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
