全球首发：SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

SK 海力士宣布其全球首款 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并投入量产，标志着首次突破 300 层 QLC 技术，显著提升了存储密度。新产品通过增加芯片内平面数量至 6 个，有效提升了读写性能和数据传输速度，同时优化了功耗效率，特别适用于 AI 数据中心。公司计划将该技术应用于 PC 固态硬盘、企业级固态硬盘和智能手机 UFS，进一步拓展高容量存储市场。