消息称三星电子泰勒逻辑厂启动光刻机调试，平泽 DRAM 厂下达设备订单

三星电子半导体部门加快扩产，以应对 AI 热潮下先进逻辑与存储半导体产能需求。其位于美国得克萨斯州泰勒市的 2nm 晶圆厂进入试运营阶段，EUV 光刻机测试已启动，主要设备分阶段导入，为今年初步运营和 2027 年全面投产做准备。3 月末，三星为平泽 P4 晶圆厂集群的 PH2 和 PH4 下达大宗前端设备订单，两阶段都将生产支持 HBM4 等的 1c nm DRAM Die。PH1 已完成投资，PH3 设备安装基本完成，年内有望实现 13-14K WPM 投片量，PH4 计划今年 5-6 月启动设备导入，PH2 已启动洁净室建设，今年 11 月装机，2027 年 2 月有望完成。