ReadhubSK 海力士正研发高带宽存储 (HBS)
2025 年 11 月 11 日
业内人士透露，SK 海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠 16 个 DRAM 和 NAND 闪存模块，通过垂直导线扇出（VFO）连接提高数据处理速度，有望让未来智能手机和平板电脑具备更强大 AI 算力。
展开全部报道
话题追踪2026-04-08
SK 海力士将为戴尔供应专为人工智能 PC 设计的先进存储解决方案2026-03-11
应用材料将与美光及 SK 海力士合作开发 AI 存储芯片2026-02-23
SK 海力士董事长承诺提高人工智能内存芯片产量2025-11-11
SK 海力士正研发高带宽存储 (HBS)2025-10-29
SK 海力士明年全系列存储芯片订单已售罄 发出强劲的人工智能需求信号2025-10-02
三星、SK 海力士将为 OpenAI「星际之门」项目提供存储芯片2025-08-25
全球首发：SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存2025-07-24
SK 海力士称高端人工智能芯片销量有望翻番2025-03-07
SK 海力士：CIS 事业部将转为面向 AI 的存储器领域2024-12-24
消息称 SK 海力士考虑进军先进封装领域，延长存储产业链查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
