美光宣布 1γ DRAM 内存开始出货:性能提升 15%,功耗降低 20% 以上
2025 年 2 月 26 日
美光科技宣布推出基于 1γ 节点的第六代 DRAM 节点 DDR5 内存样品,速度提升 15%,功耗降低超 20%,热管理性能改善,比特密度提升超 30%,满足数据中心和端侧 AI 设备的高性能计算需求。
2026-03-17
美光科技开始为英伟达量产 HBM4 内存2025-12-04
美光将在全球内存供应短缺之际退出消费级内存业务2025-06-13
美光宣布 DDR4 内存减产计划,聚焦车用等领域供应2025-06-11
领先三星、SK 海力士:消息称美光成英伟达首家 SOCAMM 供应商2025-06-06
美光科技推出全球首款 1γ 制程 LPDDR5X 存储器2025-03-25
美光宣布用于英伟达新品的 HBM3E 及 SOCAMM 已量产出货2025-02-26
美光宣布 1γ DRAM 内存开始出货:性能提升 15%,功耗降低 20% 以上2025-01-16
美光加入 16-Hi HBM3E 内存竞赛,年内实现量产2025-01-03
三星 Galaxy S25 内存供应商易主,美光首超内部兄弟单位 DS2024-07-31
美光宣布第九代 NAND 闪存技术量产查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。