消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成,已就此成立专门工作组
2024 年 6 月 12 日
三星电子在 12nm 级 DRAM 内存的良率上存在问题,远未达到业界标准的 80~90%,因此成立专门工作组以提升良率。尽管存在挑战,三星已开始量产 16Gb 12nm 级 DDR5 内存,并成功开发出 32Gb 产品。32Gb 的颗粒容量使得在不使用 TSV 工艺的情况下,能生产出高密度的 128Gb DDR5 RDIMM 内存条,有助于降低功耗和制造成本。此外,三星计划将 12nm 级 DRAM 的产量从每月 4 万片晶圆增加至明年每月 20 万片,华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为主要生产基地。
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