三星电子突破 DRAM 技术壁垒成功产出 10 纳米以下工作晶圆

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三星电子在 DRAM 制造技术上取得突破，首次成功产出 10 纳米以下级别的工作晶圆，这标志着其在克服 DRAM「10 纳米魔咒」方面迈出关键一步。上月三星生产了采用 10a 工艺的晶圆，确认了工作晶圆的存在，这是应用 4F 平方单元结构和垂直通道晶体管工艺的结果。该公司计划今年完成基于此结构的 10a DRAM 开发，2028 年量产，还计划在 10a、10b、10c 使用 4F 平方和 VCT 结构，10d 开始转向 3D DRAM。此次突破关键在于采用两项新技术，核心材料也随之改变。业界认为三星成功产出工作晶圆将加速开发与量产，而其他厂商策略不同，美光维持现有设计，中国厂商积极开发 3D DRAM，SK 海力士计划在 10b 节点应用相关技术。