三星公布首批 2 纳米芯片性能数据，加速追赶台积电

三星电子公布即将推出的 2nm 芯片工艺首批性能数据，将更积极推进下一代晶圆代工制造以缩小与台积电差距。其首代 2nm 工艺采用 GAA 晶体管技术，相比第二代 3nm 工艺，性能提升 5%，功耗效率提高 8%，芯片面积缩小 5%，这是三星首次发布 2nm 具体规格。台积电掌控全球超 70% 晶圆代工市场份额，三星约 7%，多数分析师预计其领先地位将持续，但韩国业内人士称从 2nm 节点开始竞争或加剧。