英特尔 ZAM 内存原型首秀：功耗暴降 50%，单芯片 512GB

在 Intel Connection Japan 2026 活动中，英特尔首次公开「Z-Angle Memory」（ZAM）内存原型。该项目由英特尔与软银子公司 Saimemory 共同推进，Saimemory 于 2024 年 12 月成立、2025 年 6 月全面运营，从事存储器相关业务。英特尔政府技术首席技术官 Joshua Fryman 与英特尔日本首席执行官大野诚出席发布活动。ZAM 技术核心是「Z-Angle」架构，采用错位互连拓扑结构，能解决散热瓶颈、优化计算性能。营销资料显示，ZAM 性能对标甚至超越 HBM，功耗降低 40% 至 50%，单芯片存储容量最高达 512GB。