消息称三星芯片部门负责人携 1b DRAM 样品访问英伟达，全力争取 HBM3E 订单

三星芯片部门负责人访问英伟达总部，展示改进后的 1b DRAM 芯片样品，用于高带宽内存（HBM）。此前，三星因良品率和过热问题计划跳过 1b DRAM，但在英伟达的要求下重新调整计划。三星竞争对手 SK 海力士和美光已向英伟达供应采用 1b DRAM 生产的 HBM3E。三星计划今年第二季度量产并供货改进版 HBM3E。