Rapidus 与 IBM 合作研发多阈值电压 GAA 晶体管技术

在 2024 年 IEEE IEDM 国际电子器件会议上，IBM 和日本 Rapidus 公司展示了合作研发的多阈值电压 GAA 晶体管技术，该技术将应用于 Rapidus 的 2nm 制程生产。IBM 指出，在 2nm 制程中，晶体管结构从 FinFET 转变为 GAAFET，这带来了实现多阈值电压的新挑战。通过引入两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，IBM 和 Rapidus 成功解决了这一挑战，并使得 Nanosheet 纳米片结构的应用更为可行。IBM 研究院的高级技术人员 Bao Ruqiang 表示，与 FinFET 相比，Nanosheet 结构更为复杂，但新生产工艺更为简单，有助于 Rapidus 可靠地大规模应用 2 纳米片技术生产芯片。