英飞凌实现全球首个 300mm 功率氮化镓 GaN 晶圆技术

英飞凌公司宣布成功研发出全球首个 300mm 功率 GaN 晶圆技术，并在现有的大规模制造环境中实现这一突破性技术。与 200mm 晶圆相比，300mm 晶圆的芯片生产技术更先进、效率更高，并能提供 2.3 倍的芯片数量。GaN 基功率半导体正快速应用于多个领域，如工业、汽车和消费电子等。英飞凌计划在市场需求的基础上进一步扩大 GaN 产能。