Readhub铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图：计划 2027 年实现 1000 层堆叠
2024 年 6 月 28 日
铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图，预计 2027 年实现 1000 层堆叠，目标比三星更为激进。铠侠已推出 218 层 BiCS8 3D NAND，未来可能探索五层单元技术，提高位密度。
话题追踪2025-11-12
三星电子、SK 海力士和铠侠计划提高 NAND 价格 并削减产量2025-06-06
铠侠计划五年内将产量翻一番 以满足 AI 数据中心对 NAND 需求2025-02-21
铠侠与闪迪发布下一代 3D 闪存技术，实现 4.8Gb/s NAND 接口速度2025-02-21
铠侠宣布开发出新一代 NAND 闪存，数据传输速度可提高 3 成2024-12-02
NAND 闪存价格持续下跌 铠侠或 12 月起减产应对2024-10-29
三星、铠侠将减产 NAND 闪存：市场需求疲软、企业级 SSD 也撑不住2024-06-28
铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图：计划 2027 年实现 1000 层堆叠2022-02-10
西部数据和铠侠称材料污染影响 3D 闪存生产
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
