阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破2024 年 4 月 18 日荷兰阿斯麦公司宣布,其首台采用 0.55 数值孔径投影光学系统的高数值孔径极紫外光刻机已成功印刷出 10 纳米线宽图案,实现重大技术突破。该公司及合作伙伴将推进系统性能,以实现在现实生产环境中的复制。此外,英特尔公司将利用该技术进行 18A 制程工艺研发,并计划在未来部署下一代光刻机。高数值孔径光刻机能实现 8nm 超高分辨率,对制造 3nm 以下制程芯片具有重要意义,可望简化生产流程、提高产量并降低成本,但设备价格高达 4 亿美元,应用过程中面临诸多挑战。阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得突破 成功印刷 10 纳米线宽图案财联社 / 新浪科技ASML High-NA EUV 光刻机取得重大突破,成功印刷 10 纳米线宽图案艾瑞网ASML High-NA EUV 光刻机取得重大突破:成功印刷 10 纳米线宽图案凤凰科技展开全部报道话题追踪2026-02-23阿斯麦公布 EUV 光源技术突破,到 2030 年芯片产能有望提升 50%2024-04-18阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破专业版功能登录体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。