内存、闪存产能过剩，三星、SK 海力士、美光三巨头明年齐减产

美光 CEO Sanjay Mehrotra 在近日的季度财务电话会议上表示，当前 DRAM 内存芯片市场产能过剩导致价格下跌 … 美光预计明年内存芯片产能增幅为 15%，低于此前预期的 20%，NAND 闪存芯片也只会增长 35%，低于此前预计的 35-40%。美光计划将明年的资本支出下调 12.5 亿美元降至 95 亿美元，以减少 DRAM 内存、NAND 闪存芯片产能 … 同时，三星、SK 海力士也有类似的减产计划。三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。