台积电拟进军先进内存芯片制造 应英伟达要求布局 3D DRAM

台积电正考虑拓展先进内存芯片制造领域，近期已着手制定 3D DRAM 的生产计划，以响应其最大客户英伟达的需求。3D DRAM 可将内存单元垂直堆叠以容纳更多内存，不同于传统单层布局的 DRAM。当前全球内存芯片制造由三星、SK 海力士、美光主导，三家也均在布局 3D DRAM 技术。受 AI 硬件热潮带动，内存芯片严重短缺、价格飙升，英伟达、苹果等芯片设计企业都在寻找额外供应来源，此前苹果就曾因内存成本上升上调设备价格。