三星探索内存新技术：垂直堆叠于 AI 加速器之上 密度超传统 HBM5 十倍

美东时间 8 月 4 日，三星电子在未来存储与内存大会上推出拥有超 400 层结构、采用全新晶圆键合架构的 BV-NAND 原型产品，该技术较上一代 V9 NAND 存储密度提升约 58%，并提升读写及输入输出性能。三星还展示业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型，zHBM 将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，其晶圆键合技术有望实现超传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，能源效率提高 3 倍，热阻降低一半以上。