新型高性能二维半导体材料研发获突破

国防科技大学和中科院金属所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控芯片技术提供关键支撑，成果近日发表于《国家科学评论》。