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西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破，解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题，相关成果发表于国际顶级期刊。研究核心是改善半导体材料层间界面质量，解决了传统方法中氮化铝中间层「岛屿」结构制约射频芯片功率提升的难题，将界面热阻降至原先的三分之一，解决散热问题。基于此研制的氮化镓微波功率器件单位面积功率提升 30% 至 40%，该技术有望使探测设备探测距离增加、通信基站信号覆盖更广且能耗更低，还能为普通用户带来体验升级。团队正研究应用超高热导材料，若成功，半导体器件功率处理能力有望提升至当前水平的十倍甚至更高，为半导体器件发展奠定关键基础。