可替代 EUV 光刻机 工艺直逼 1.4nm 日本开发全新纳米压印技术
2025 年 12 月 19 日
日本是全球第二大光刻机供应商,正着力开发可替代 EUV 的光刻方案,选择了 NIL 纳米压印技术路线。日本 DNP 公司宣布开发出 10nm 的 NIL 纳米压印技术,可用于 1.4nm 工艺的逻辑芯片曝光,采用 SADP 自对准双重图案技术,能满足先进工艺逻辑芯片要求,功耗仅为当前主流工艺的 1/10 左右。该公司研发 NIL 技术超 20 年,其技术可部分替代 EUV 光刻,已与硬件供应商合作启动评估,预计 2027 年开始量产出货。
可替代 EUV 光刻机 工艺直逼 1.4nm 日本开发全新纳米压印技术
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