三星电子整合 HBM 技术路线 核心团队并入 DRAM 开发体系
2025 年 11 月 28 日
三星电子对高带宽存储器(HBM)开发团队进行组织调整,撤销原隶属于半导体业务 DS 部门下的 HBM 开发团队,人员并入 DRAM 开发室下属设计团队,原团队负责人孙永洙任设计团队负责人,统筹项目推进。团队将聚焦 HBM4、HBM4E 等新产品设计优化与工艺验证,预计本周完成调整,下月初审议明年业务规划。三星此前加大 HBM 领域投入,与多家科技企业合作,整合有助于形成更紧密协同。今年二季度其全球 HBM 市场排名下滑至第三,预计 HBM4 供应扩大后市场份额明年回升,TrendForce 预测 2026 年其占有率有望突破 30%。行业人士认为,此举有望提升资源统筹与技术迭代效率,增强高端存储市场竞争力。
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