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韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK keyfoundry 宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺，支持堆叠最多三层 IMD，每层最大厚度达 6 微米，预计用于制造数字隔离用电容器及抑制电容耦合的电容器。