复旦亚纳秒级闪存技术登 Nature2025 年 4 月 17 日复旦大学团队通过构建准二维泊松模型预测超注入现象,突破存储速度理论极限,研制出「破晓(PoX)」皮秒闪存器件,擦写速度达 400 皮秒,为目前全球最快的半导体电荷存储技术。上海科研团队研制出超高速闪存 眨眼间能完成 10 亿次存储华尔街见闻史上最快存储速度!复旦大学亚纳秒级闪存技术登 NatureC114 通信网史上最快存储速度!复旦大学研制出超高速闪存:未来电脑将不存在内外存概念快科技展开全部报道专业版功能登录体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。