SK 海力士正在开发低功耗 LPDDR5M:能效提高 8%2025 年 2 月 28 日SK 海力士正在开发新一代低功耗内存 LPDDR5M,其数据传输速率与 LPDDR5T 相同为 9.6Gbps,但能效提升 8%,工作电压降低至 0.98V。该技术有望应用于智能手机等设备端 AI 功能,减少电量消耗。SK 海力士预计最快年内推出 LPDDR5M 产品。同时,公司在高带宽内存 HBM 领域取得进展,12 层堆叠 HBM4 试产良品率提升至 70%,计划 2025 年向英伟达提供 HBM4 样品,支持其 Rubin 架构产品。预计下半年推出首批 12 层堆叠 HBM4 产品,2025 年第三季度全面供应,巩固高端内存市场地位。SK 海力士正在开发低功耗 LPDDR5M:能效提高 8%快科技SK 海力士 LPDDR5M 内存能效提升 8%,高端内存市场再添新动力?ITBear 科技资讯电压再降 0.03V,SK 海力士将推高能效 LPDDR5M 内存新浪科技 / IT 之家专业版功能登录体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。