美国实验室研发新型激光技术，有望大幅提升芯片制造效率

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发基于铥元素的拍瓦级激光技术，该技术有望提高光刻效率十倍，解决当前极紫外光刻系统的高能耗问题。这项名为「大口径铥激光」的技术，通过提高等离子体到 EUV 光的转换效率，以及采用更高效的固态激光技术，有望为超越 EUV 光刻系统铺平道路。不过，将该技术应用于半导体生产还需克服重大基础设施改造的挑战。