英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安装

ASML 新任 CEO 傅恪礼在 SPIE 大会上介绍了 High NA EUV 光刻机，表示其不太可能出现延迟，并提到了新的组装扫描仪子组件方法。英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips 则宣布，英特尔已在波特兰工厂完成两台 High NA 光刻系统的安装，并认为 High NA EUV 相对于标准 EUV 光刻机所带来的改进可能比之前想象中还要多。他还表示，用于 High NA 的光刻掩模检测工作已经按计划开始进行，英特尔目标插入点是 Intel 14A 工艺，预计在 2026-2027 年量产。