三星电子计划 2026 年推出最后一代 10nm 级工艺 1d nm

三星电子 DS 部门展示了未来内存产品路线图，计划在 2024 年推出 1c nm 制程 DDR 内存，提供 32Gb 颗粒容量。2026 年推出最后一代 10nm 级工艺 1d nm，同样最大提供 32Gb 容量。