ReadhubSK 海力士开发出第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM
2024 年 8 月 29 日
SK 海力士全球首次开发出第六代 10 纳米级 16Gb DDR5 DRAM，用于高性能数据中心，运行速度达 8Gbps，较前代提高 11% 的速度和 9% 以上的能效，计划在今年完成量产准备，明年开始供应产品。
SK 海力士开发出第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM
界面 / 财联社 / 36Kr
展开全部报道
话题追踪2026-04-09
SK 海力士猛攻 1c DRAM：良率已升至 80% 超半数产能年内转换2026-01-05
三星、SK 海力士寻求将服务器 DRAM 价格上调 70%2026-01-04
SK 海力士 DRAM 集群洁净室启用时间提前至 2027 年 3 月2025-12-15
SK 海力士警告：DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年2025-10-31
大摩：SK 海力士 DRAM 库存水平已降至两周 实际处于边生产边发货状态2025-10-23
SK 海力士推 DDR5-7200 新芯片 X021 剑指下一代平台2025-09-12
全球首款：SK 海力士宣布完成 HBM4 开发并准备量产2025-09-02
三星和 SK 海力士将延长 DDR4 生产至明年2025-08-28
SK 海力士开始供应高热效移动 DRAM 产品，以解决智能手机过热问题查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
