SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

两大存储巨头 SK 海力士和三星电子表示，目前整体 DRAM 生产线中有两成用于 HBM 内存生产。由于 HBM 内存单价较高，且 TSV 工艺良率不佳导致晶圆消耗量大，内存企业需提升产线占比以满足不断增长的 HBM 需求。因此，两家企业预计年内通用 DRAM 和 HBM 内存价格都将保持稳定。同时，SK 海力士和三星电子都对明年的 HBM 内存供求情况持乐观态度。此外，两家企业对企业发展级固态硬盘市场也持积极看法。