三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产

三星半导体宣布第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，位密度提高 50%，采用通道孔蚀刻技术提升生产效率。新品具有更高单元层数，数据传输速度提升 33%，功耗降低 10%。三星计划在今年下半年开始量产四层单元（QLC）的第九代 V-NAND，并有望在未来推出堆叠层数达 430 层的第十代 V-NAND 产品。