消息称三星将采用台积电 3nm 制程为英伟达生产 HBM 基底裸片

三星电子将采用台积电 3 纳米制程为英伟达下一代定制 HBM 芯片生产基底裸片，这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK 海力士、美光采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，以第六代 DRAM 技术制造核心芯片，今年 8 月发布的 NVHBM 将英伟达定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。三星经内部评估后接受该要求，同时计划继续以自主生产模式生产标准 HBM 及面向其他客户的定制产品，还在评估若需求超出台积电产能，其自有代工厂是否可生产 NVHBM 基底裸片。