三星电子整并通用 DRAM 后端制造设施：缩短制造周期，提升实际产能

三星电子正整合以华城为中心的通用 DRAM 内存后端制造设施，因华城 DRAM 前端晶圆厂的配套后端设施分散，降低了生产效率。该公司计划在已拆除老旧生产线的华城 H1 工厂建设集中式后端生产设施，此举可复用现有洁净室空间以缩短建置周期，腾出的空间还可用于扩建生产线、提升实际产能。